STマイクロエレクトロニクスは、車載アプリケーション向けに、高耐圧Nチャネル・パワーMOSFETの新製品ファミリを発表した。
AEC-Q101に準拠する新製品は、STの最先端のスーパー・ジャンクション技術「MDmesh DM2」と、ボディ・ダイオードの高速リカバリ特性を実現するライフタイム・コントロール・プロセスを採用。また、ブレークダウン電圧範囲は400～650Vで、D2PAK、TO-220、TO-247の各種パッケージで提供する。
ブレークダウン電圧が400Vおよび500Vの製品は、この電圧範囲の製品として業界で初めてAEC-Q101に準拠。また、600Vおよび650Vの製品は、競合製品よりも高い性能を実現している。いずれも、集積された高速ボディ・ダイオード、滑らかな整流動作、およびバックトゥーバック型のゲート・ソース間ツェナー保護を必要とする車載アプリケーション向けに設計。フル・ブリッジ型のゼロ電圧スイッチング・トポロジに理想的な製品となっている。
STの新パワーMOSFETは、逆回復時間（Trr）/逆回復電荷（Qrr）とソフトネス・ファクタに関し、車載用半導体市場ではトップクラスの性能を提供する一方、大電流下でのターンオフ・エネルギー（Eoff）にも優れているため、車載用電源の効率を改善。さらに、高性能な高速ボディ・ダイオードがEMIに起因する問題を軽減するため、パッシブ・フィルタを小型化できる。
単価は、1000個購入時に約3米ドル～10米ドル（約366円～1220円）で、ブレークダウン電圧とパッケージタイプにより異なる。
