ロームは、第4世代SiC MOSFETとゲートドライバICが、日立アステモの電気自動車（EV）用インバータに採用されたと発表した。2025年から国内外のEVに供給し、航続距離の延伸やシステム小型化に貢献する。
ロームは、2010年に世界で初めてSiC MOSFETの量産を開始して以来、SiCパワーデバイス技術でリードしてきた。中でも最新の第4世代SiC MOSFETは、短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した。車載インバータ搭載時、IGBT比で電費を6％改善（WLTC燃費試験で算出時）できるなど、電動車の航続距離延伸に寄与する。
