半導体メーカーのロームは、電気自動車（EV）の補機類や産業機器向けに、低損失特性と高短絡耐量を両立した第4世代IGBT（絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ）を開発し、量産を開始した。
■背景：EV補機や産業機器でIGBT需要が拡大
高電圧化が進むEVでは、主機インバータなど大電力を扱う用途にはSiC（炭化ケイ素）の採用が進んでいる。一方、車載用電動コンプレッサやHVヒーターなど電力容量の小さい補機類では、650V耐圧のIGBTが広く使われている。産業機器でもモーターやコンプレッサを中心にシリコンIGBTの需要拡大が見込まれている。
こうした用途では省エネルギー化や筐体の小型化が求められており、パワーデバイスには信頼性向上・小型化・高効率化が強く求められている。特にインバータやヒーター回路では、短絡時の過電流を検知して遮断するまでの時間に耐えられる「短絡耐量」が不可欠だ。
