ロームは、電気自動車（EV）やハイブリッドカー（HEV）、産業機器のインバータ駆動向けにSiCデバイスの温度特性に対応した高温で動作可能なSiCパワーモジュールを開発した。
SiCパワーモジュールは、新開発の高耐熱樹脂を採用し、世界で初めてトランスファーモールド型で225度の高温動作を実現した。現在のSiデバイスを使ったモジュールと同様、小型・低コストのパッケージングが可能で、SiCモジュールの普及に貢献するとしている。
このモジュールは600V/100Aの3相インバータで、ロームのSiC-SBD、SiC-トレンチMOSFETを各6素子搭載した600V/100Aで、その225度までの駆動を確認した。
さらにこのモジュールは1200Vクラスまで搭載可能。これにより、従来のSi-IGBTモジュールと比べ大幅に損失を低減、小型化が可能なのに加え、これまでのケース型SiCモジュールと比較して大幅なコストダウンが可能となる。
製品は3～4年後の実用化を目指す。ゲートドライバICを搭載したIPMについてもこの技術を使ってトランスファーモールドDIPタイプで高温動作が可能な600V/50AまでのSiC搭載のIPMを今後、開発する予定。
開発成果は、10月4日～8日に千葉・幕張メッセで開催される「CEATEC JAPAN 2011」のロームブースで展示する予定。
