ソニーは23日、次世代のCMOSイメージセンサーとして、「積層型CMOSイメージセンサー」を開発したことを発表した。
従来のCMOSイメージセンサーでは、同一チップ上に画素部分とアナログ・ロジック回路を搭載するため、回路規模とチップサイズ、画素部分と回路部分の配置によるノイズ対策、画素特性と回路トランジスタ特性の最適化など、数々の制約があり、大規模な回路を搭載する上での課題となっていた。
「積層型CMOSイメージセンサー」では、従来の「裏面照射型CMOSイメージセンサー」の支持基板の代わりに、信号処理回路が形成されたチップを用い、その上に裏面照射型画素が形成された画素部分を重ね合わせた構造を採用した。画素部分と回路部分をそれぞれ独立したチップとして形成するので、画素部分は高画質化に特化し、回路部分は高機能化に特化した製造プロセスを採用できるため、高画質化・高機能化・小型化を同時に実現できるという。さらに、回路が形成されたチップに先端プロセスを採用することで、信号処理の高速化・低消費電力化も実現した。
商品化の第一弾としては、通常外付けが必要なカメラ信号処理機能を内蔵したCMOSイメージセンサーを開発し、2012年3月よりサンプル出荷する。併せて、暗いシーンでもノイズの少ない高画質撮影を可能とするソニー独自の「RGBWコーディング」機能と、逆光でも色鮮やかな撮影を実現する独自の「HDR（ハイダイナミックレンジ）ムービー」機能を搭載したモデルも開発する。
