ボッシュ、電動車の航続6%延長へ…新世代SiCパワー半導体を開発

ボッシュが開発した電動車向けの新世代SiCパワー半導体
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ボッシュ(Bosch)は10月8日、EVなどの電動車向けに、新世代のSiC(炭化ケイ素)パワー半導体を開発し、ドイツの新工場で生産すると発表した。

ボッシュが開発した新世代のSiCパワー半導体は、エレクトロモビリティを前進させる効果が期待されている。SiCパワー半導体はEVやハイブリッド車など、電動車のパワーエレクトロニクスの中核技術のひとつになる。

SiCパワー半導体は従来のシリコンチップと比較して、導電性に優れている。これにより、より高いスイッチング周波数が可能になると同時に、消費エネルギーが少なくなるという。

炭化ケイ素で作られた半導体は、スイッチング速度、熱損失、サイズの面で新しい基準を打ち立てる。とくに、EVやハイブリッド車への搭載は、多くの利点があるという。

具体的には、パワーエレクトロニクスにおいて、熱として失われるエネルギーを50%削減する。これにより、モーターなどのパワーエレクトロニクスが、より効率的になる。ボッシュは、1回のバッテリー充電での航続を、6%延ばすことが可能になる、としている。

《森脇稔》

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