電気自動車の性能向上へ、新型高性能パワー半導体を発表…インフィニオン

インフィニオンが新型高性能パワー半導体を発表。EVの性能向上へ(イメージ)
インフィニオンが新型高性能パワー半導体を発表。EVの性能向上へ(イメージ)全 1 枚

ドイツの半導体大手インフィニオン・テクノロジーズは、電気自動車(EV)向けの新世代IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)とRC-IGBT(逆導通型IGBT)を発表した。EVの性能向上と省エネルギー化に貢献することが期待される。

電気自動車市場は急速に拡大しており、2030年までに生産台数の約45%を占めると予測されている。インフィニオンは、この需要増加に対応するため、400Vおよび800Vシステム向けのEDT3(Electric Drive Train、第3世代)チップと、800Vシステム専用のRC-IGBTチップを開発した。

《森脇稔》

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