自動車の電動化に貢献、絶縁性能向上の新型高耐圧SiCダイオード発表…ローム

半導体大手のロームは11月12日、高い絶縁性能を持つ表面実装タイプのSiCショットキーバリアダイオード（SBD）を開発し、車載機器向けに販売を開始したと発表した。

新製品は、端子間の沿面距離を従来品の約1.3倍となる最小5.1mmに延長することで、高い絶縁性能を実現している。これにより、高電圧アプリケーションにおいて基板へデバイスを表面実装する際、樹脂ポッティングによる絶縁処理が不要となる。